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郝爱泽 副教授 硕士生导师
2019-09-06 20:52   审核人:

郝爱泽---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

11356 

 职称/职务:副教授

 专       业: 物理化学、无机化学

 研究方向:新型纳米光电催化剂、电化学储能器件等

 出生年月:1989年6月

 



联系方式:---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------


    箱:h1061717965@163.com;

办 公 室:新疆大学逸夫楼421

   话:0991-8581183

 

个人经历:---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

2019/08 -                     应用化学研究所       副教授

2018/07 -2019/08                   应用化学研究所        

2015/08 -2018/06                    凝聚态物理          理学博士  

研究内容:---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

主要从事新型纳米功能材料合成、光-电性能及机理研究,探索其在光催化和压电催化降解有机物、光-电催化全裂解水及电化学储能等领域的应用。


主持项目:---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

1. 新疆维吾尔自治区天池博士计划,氧化锌基纳米材料的制备及压电-光催化性能研究, 2019/01-2020/1210万元,在研,主持;

2. 新疆维吾尔自治区高校科研计划项目,纳米复合镍铁氧体电阻随机存储器及磁学性能的研究,2020/01-2021/128万元,在研,主持;

3. 新疆大学博士启动基金,尖晶石型铁氧体材料的电致阻变、光催化性能改性及其机理研究,2019/01-2020/1220万元,在研,主持;

4. 重点实验室科研发展基金,铁电纳米材料压电催化与热释电催化降解有机物及产氢性能的研究,2019/01-2020/125万元,在研,主持;

5. 企业横向项目,生活污泥堆肥制品土地利用污染性分析评估,2019/01-2024/123万元,在研,主持

 

奖励情况:-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

 

研究成果: ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

   在国外重要学术期刊上发表SCI收录学术论文27篇,申报国家发明专利4项,近两年发表的代表性SCI学术论文:

[1] A. Z. Hao*, D. Z. Jia, M. Ismail, W. H. Huang, R. Q. Chen, D. H. Bao*, Electric field induced manipulation of resistive and magnetization switching in Pt/NiFe1.95Cr0.05O4/Pt memory devices, Appl. Phys. Lett, 2019, 114, 203502.

[2] A. Z. Hao*, D. Z. Jia, M. Ismail, R. Q. Chen, D. H. Bao*, Controlling of resistive switching and magnetism through Cu2+ ions substitution in nickel ferrite based nonvolatile memory, J. Alloys Compd., 2019, 790, 70-77.

[3] R. Q. Chen*, J. Xu, M. M Lao, Z. W. Liang, Y. K. Chen, C. J. Zhong, L. J. Huang, A. Z. Hao*, M. Ismail, Transient Resistive Switching for Nonvolatile Memory Based on Water-Soluble Cs4PbBr6 Perovskite Films, Phys. Status. Solidi. R, 2019, 1900397.

[4] A. Z. Hao, M. Ismail, S. He, W. H. Huang, N. Qin, D. H. Bao*, Coexistence of unipolar and bipolar resistive switching behaviors in NiFe2O4 thin film devices by doping Ag nanoparticles, J. Appl. Phys., 2018, 123, 085108.

[5] A. Z. Hao, M. Ismail, S. He, N. Qin, R. Q. Chen, A. M. Rana, D. H. Bao*, Enhanced resistive switching and magnetic properties of Gd-doped NiFe2O4 thin films prepared by chemical solution deposition method, Mater. Sci. Eng. B, 2018, 229, 86-95.

[6] A. Z. Hao, M. Ismail, S. He, N. Qin, W. H. Huang, J. Wu, D. H. Bao*, Improved unipolar resistive switching characteristics of Au-doped nickel ferrite magnetic thin films for nonvolatile memory applications, J. Alloys Compd., 2018, 732, 573-584.





 


 

 

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