郝爱泽---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

 

 职称/职务：副教授

 专       业： 物理化学、无机化学

 研究方向：新型纳米光电催化剂、电化学储能器件等

 出生年月：1989年6月

 

联系方式:---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

邮    箱：h1061717965@163.com;

办 公 室：新疆大学逸夫楼421室

电    话：0991-8581183

 

个人经历:---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

2019/08 -至  今    新  疆   大   学       应用化学研究所       副教授

2018/07 -2019/08    新   疆  大   学       应用化学研究所       讲  师

2015/08 -2018/06    中   山  大   学        凝聚态物理          理学博士  

研究内容:---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

主要从事新型纳米功能材料合成、光-电性能及机理研究，探索其在光催化和压电催化降解有机物、光-电催化全裂解水及电化学储能等领域的应用。

主持项目:---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

1. 新疆维吾尔自治区天池博士计划，氧化锌基纳米材料的制备及压电-光催化性能研究， 2019/01-2020/12，10万元，在研，主持；

2. 新疆维吾尔自治区高校科研计划项目，纳米复合镍铁氧体电阻随机存储器及磁学性能的研究，2020/01-2021/12，8万元，在研，主持；

3. 新疆大学博士启动基金，尖晶石型铁氧体材料的电致阻变、光催化性能改性及其机理研究，2019/01-2020/12，20万元，在研，主持；

4. 重点实验室科研发展基金，铁电纳米材料压电催化与热释电催化降解有机物及产氢性能的研究，2019/01-2020/12，5万元，在研，主持；

5. 企业横向项目，生活污泥堆肥制品土地利用污染性分析评估，2019/01-2024/12，3万元，在研，主持

 

奖励情况：-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

 无

研究成果: ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

   在国外重要学术期刊上发表SCI收录学术论文27篇，申报国家发明专利4项，近两年发表的代表性SCI学术论文:

[1] A. Z. Hao*, D. Z. Jia, M. Ismail, W. H. Huang, R. Q. Chen, D. H. Bao*, Electric field induced manipulation of resistive and magnetization switching in Pt/NiFe_1.95Cr_0.05O₄/Pt memory devices, Appl. Phys. Lett, 2019, 114, 203502.

[2] A. Z. Hao*, D. Z. Jia, M. Ismail, R. Q. Chen, D. H. Bao*, Controlling of resistive switching and magnetism through Cu²⁺ ions substitution in nickel ferrite based nonvolatile memory, J. Alloys Compd., 2019, 790, 70-77.

[3] R. Q. Chen*, J. Xu, M. M Lao, Z. W. Liang, Y. K. Chen, C. J. Zhong, L. J. Huang, A. Z. Hao*, M. Ismail, Transient Resistive Switching for Nonvolatile Memory Based on Water-Soluble Cs₄PbBr₆ Perovskite Films, Phys. Status. Solidi. R, 2019, 1900397.

[4] A. Z. Hao, M. Ismail, S. He, W. H. Huang, N. Qin, D. H. Bao*, Coexistence of unipolar and bipolar resistive switching behaviors in NiFe₂O₄ thin film devices by doping Ag nanoparticles, J. Appl. Phys., 2018, 123, 085108.

[5] A. Z. Hao, M. Ismail, S. He, N. Qin, R. Q. Chen, A. M. Rana, D. H. Bao*, Enhanced resistive switching and magnetic properties of Gd-doped NiFe₂O₄ thin films prepared by chemical solution deposition method, Mater. Sci. Eng. B, 2018, 229, 86-95.

[6] A. Z. Hao, M. Ismail, S. He, N. Qin, W. H. Huang, J. Wu, D. H. Bao*, Improved unipolar resistive switching characteristics of Au-doped nickel ferrite magnetic thin films for nonvolatile memory applications, J. Alloys Compd., 2018, 732, 573-584.